现货,推荐
符合RoHS标准

CY7C1061G30-10ZSXI

符合工业标准、访问速度快的高密度 16 Mbit 并行快速 SRAM
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061G30-10ZSXI
每件.

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • 工作电压
    2.2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
OPN
CY7C1061G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 1080
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 1080
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY7C1061G30-10ZSXI 是带有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备。它提供单芯片和双芯片启用选项以及多引脚配置。CY7C1061G30-10ZSXI 设备包括一个 ERR 引脚,该引脚在读取周期内发出单位错误检测和纠正事件信号。

特性

  • 高速
  • 低工作电流和待机电流
  • 1.0V 数据保留

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }