CY7C1061GN18-15ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1061GN18-15ZSXI

数据手册
封装

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CY7C1061GN18-15ZSXI
CY7C1061GN18-15ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.65 V 至 2.2 V
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.2 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    15 ns

推荐的
OPN
CY7C1061GN18-15ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 108
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 108
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061GN18-15ZSXI为16-Mbit（1M×16）高速异步CMOS SRAM，最大访问时间15 ns。供电1.65 V至2.2 V，使用OE/WE控制，并通过BLE/BHE支持按字节写入。片选自动掉电降低待机电流（ISB2典型20 mA，最大30 mA），在100 MHz时ICC典型90 mA、最大110 mA。提供无铅54引脚TSOP II封装（工业级）。

特性

  • 1M字×16位SRAM阵列
  • tAA地址访问10 ns/15 ns
  • tRC读周期10 ns/15 ns
  • tDOE OE访问5 ns/8 ns
  • VCC工作电压2.2 V至3.6 V
  • VDR数据保持低至1.0 V
  • 数据保持电流最大30 mA
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • 未选通自动掉电
  • I/O电平TTL兼容
  • 双片选CE1与CE2
  • 双字节使能BLE与BHE

产品优势

  • 16位总线提升带宽
  • 10 ns级读出降低延迟
  • 快速OE加快总线启用
  • 2.2-3.6 V适配常用电源
  • 1.0 V保持降低待机功耗
  • 自动掉电减少空闲电流
  • TTL电平便于逻辑连接
  • CE1/CE2简化存储扩展
  • 字节使能支持8位写入
  • 低泄漏利于低功耗待机
  • 高阻输出避免总线争用
  • 明确时序加快设计导入
文档

设计资源

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