CY7C1061GN18-15ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1061GN18-15ZSXIT

数据手册
封装

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CY7C1061GN18-15ZSXIT
CY7C1061GN18-15ZSXIT
数据手册
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.65 V 至 2.2 V
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.2 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    15 ns
推荐的
OPN
CY7C1061GN18-15ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061GN18-15ZSXIT是一款16 Mbit（1M×16）高速异步CMOS SRAM，内置ECC实现单比特纠错。器件供电1.65 V至2.2 V，工作温度−40°C至+85°C，访问时间15 ns。CE掉电模式下待机电流ISB2最大30 mA。其为TSOP II双片选、卷带出货，面向嵌入式与工业系统的SRAM缓冲与查找表存储。

特性

  • 16 Mbit(1M×16)异步SRAM
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR输出指示纠正的1位错
  • tAA访问时间10 ns/15 ns
  • 16位I/O，BLE/BHE字节写
  • 单或双片选输入
  • 片选自动掉电(ISB1/ISB2)
  • ICC典型90 mA@100 MHz
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容I/O电平
  • 环境温度-40°C至+85°C
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

产品优势

  • ECC提升SRAM数据完整性
  • ERR引脚便于错误监测
  • 10 ns访问支持高速读取
  • 字节写减少写入带宽
  • 片选选项便于系统集成
  • 自动掉电降低待机功耗
  • 1.0 V保持降低备份电源
  • TTL电平简化总线接口
  • -40°C至+85°C更可靠
  • 高ESD提升装配裕量
  • 更低有源电流减小发热
  • 异步SRAM简化控制器逻辑
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }