CY7C1062GE30-10BGXIT

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封装

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商品详情

密度

16 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压 (VCCQ) 范围

2.2 V 至 3.6 V
工作电压范围

2.2 V 至 3.6 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

Parallel
目前计划的可用性至少到

2033
系列

FAST SRAM
组织(X x Y)

512K x 32
认证标准

Industrial
速度

10 ns

	推荐的
OPN	CY7C1062GE30-10BGXIT
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-119
封装名	BGA-119 (51-85115)
封装尺寸	500
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-119
封装名	BGA-119 (51-85115)
封装尺寸	500
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY7C1062GE30-10BGXIT是一款16 Mbit（512 K×32）异步SRAM，内置ECC用于单比特纠错，并通过ERR引脚指示检测/纠正的错误。10 ns速度等级，支持2.2 V至3.6 V供电，工作温度-40°C至+85°C。提供三路片选、32位分字节写使能及未选通自动掉电，简化高可靠性存储扩展设计。

特性

16 Mbit SRAM(512K×32)
内置ECC单比特纠错
ERR输出指示ECC事件
tAA访问时间10 ns/15 ns
4路字节使能(BA-BD)
3路片选便于扩展(CE1-3)
失选自动掉电
禁用时输出高阻
TTL兼容输入/输出电平
VCC：1.65-2.2或2.2-3.6 V
VDR=1.0 V数据保持
ESD(HBM)>2001 V

产品优势

直接匹配32位数据总线
ECC提升数据完整性
ERR引脚加速故障处理
10/15 ns实现快速访问
字节写入减少总线带宽
3片选简化存储扩展
自动掉电降低待机功耗
高阻输出便于总线共享
TTL电平简化接口设计
适配常见电源轨
1.0 V保持降低电池耗电
>2001 V ESD增强可靠性

应用

设计资源

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CY7C1062GE30-10BGXIT

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