CY7C1371KV33-100AXI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1371KV33-100AXI

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CY7C1371KV33-100AXI
CY7C1371KV33-100AXI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.135 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    100 MHz
OPN
CY7C1371KV33-100AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1371KV33-100AXI是一款18-Mbit(512K × 36)同步直通突发SRAM,采用NoBL™架构并集成ECC。支持100 MHz工作、最大访问时间8.5 ns,输入寄存后可实现每个时钟周期的数据传输和读写零等待切换。支持字节写、线性或交错4拍突发、CEN时钟门控及ZZ睡眠模式。工业级-40至+85°C,3.3 V VDD。

特性

  • NoBL架构,无空转周期
  • 最高133 MHz,零等待
  • 133 MHz时钟到输出6.5 ns
  • 每个时钟周期传输数据
  • 突发:线性或交错
  • BWx+WE支持字节写
  • 同步输入带寄存器
  • 自定时同步写入
  • 异步OE输出使能控制
  • 3个片选CE1/CE2/CE3
  • ZZ睡眠;进/出需2tCYC
  • 片上ECC降低软错误

产品优势

  • 读写无缝切换,避免停顿
  • 133 MHz总线实现高吞吐
  • 快速访问满足严苛时序
  • 逐周期传输更可预测
  • 突发传输提升流式效率
  • 无需全字写即可更新字节
  • 简化同步时序设计
  • 高速写入更可靠
  • 总线三态控制更简单
  • 简化分组选通/扩展
  • 睡眠模式降低待机功耗
  • 辐射环境下数据更可靠

应用

文档

设计资源

开发者社区

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