CY7C1441KVE33-133AXI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1441KVE33-133AXI

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CY7C1441KVE33-133AXI
CY7C1441KVE33-133AXI

商品详情

  • ECC
    Y
  • 密度
    36 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    Standard Sync, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    Synchronous SRAM with ECC
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    133 MHz
OPN
CY7C1441KVE33-133AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1441KVE33-133AXI是一款36-Mbit(1M×36)同步直通式SRAM,集成片上ECC以降低软错误率。支持133 MHz总线运行,时钟到输出访问延迟6.5 ns;通过内部2位突发计数器实现2-1-1-1突发传输,并可选交织或线性突发序列。内核电源3.135 V至3.6 V,I/O电源为2.375 V至2.625 V或3.135 V至VDD,适用于高速处理器接口。

特性

  • 133 MHz同步总线
  • 6.5 ns时钟到输出
  • OE到有效输出3.0 ns
  • 到CLK上升沿建立1.5 ns
  • 3.3 V内核(VDD 3.135-3.6 V)
  • I/O电源2.5 V或3.3 V
  • 通用I/O:1M×36或2M×18
  • 直通式同步SRAM
  • 2位突发计数器自增
  • 交错或线性突发模式
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
  • 片上ECC降低SER

产品优势

  • 133 MHz支持高速CPU总线
  • 6.5 ns降低读延迟
  • OE 3.0 ns加快总线切换
  • 1.5 ns建立时间易收敛
  • 3.3 V内核适配常用电源
  • 2.5/3.3 V I/O减少电平转换
  • 通用I/O简化总线布线
  • 直通结构实现低延迟读取
  • 突发计数器减少胶合逻辑
  • 突发模式匹配缓存行读取
  • JTAG边界扫描加速测试
  • ECC降低现场软错误风险

应用

文档

设计资源

开发者社区

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