CY7C1470BV33-200BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1470BV33-200BZXI

数据手册
封装

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CY7C1470BV33-200BZXI
CY7C1470BV33-200BZXI
数据手册
  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    200 MHz
推荐的
OPN
CY7C1470BV33-200BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1470BV33-200BZXI是一款72 Mbit同步流水突发SRAM（2M × 36），采用No Bus Latency（NoBL）逻辑，实现真正的连续读/写、零等待，并可每个时钟周期传输数据。支持200 MHz工作，单3.3 V内核电源（3.135 V至3.6 V），I/O电源支持2.5 V/3.3 V。兼容IEEE 1149.1 JTAG，提供-40°C至+85°C工业级165球Pb-free FBGA封装。

特性

  • 72 Mbit同步流水SRAM
  • NoBL
  • 250 MHz
  • 输入/输出全寄存器
  • 线性或交织突发顺序
  • BWx
  • VDD 3.135 3.6 V
  • VDDQ 2.5 V/3.3 V
  • 250 MHztCO 3.0 ns
  • ZZ
  • IEEE 1149.1 JTAG
  • 中子SER: 361 FIT/Mb(25C)

产品优势

  • 连续读写无等待、无停顿
  • 每个时钟周期吞吐更高
  • 兼容ZBT
  • 确定性时序易收敛
  • 突发访问适合流数据
  • 字节写减少重写带宽
  • 单电源内核简化供电
  • 直连2.5/3.3 V逻辑
  • 3.0 ns tCO降低读延迟
  • 睡眠/停钟降低空闲功耗
  • JTAG
  • 降低系统软错误风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }