CY7C1481BV33-133BGXI

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商品详情

ECC

N
密度

72 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压范围

3.14 V 至 3.63 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

Parallel
数据宽度

x 36
架构

Standard Sync, Flow-through
片上端接

N
系列

Standard Sync
组织(X x Y)

2Mb x 36
认证标准

Industrial
读取延迟(周期)

1
银行切换

N
频率

133 MHz

	推荐的
OPN	CY7C1481BV33-133BGXI
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-119
封装名	FBGA-119 (51-85181)
封装尺寸	84
封装类型	TRAY
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-119
封装名	FBGA-119 (51-85181)
封装尺寸	84
封装类型	TRAY
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY7C1481BV33-133BGXI是一款72 Mbit（2M×36）同步直通式SRAM，用于高速微处理器接口。支持133 MHz工作，时钟到数据访问延迟6.5 ns，并集成2位突发计数器，实现线性或交织的2-1-1-1突发。内核电源3.135 V至3.6 V，I/O电源2.375 V至3.6 V，支持IEEE 1149.1 JTAG与ZZ睡眠模式，适用于–40°C至+85°C。

特性

133 MHz同步总线操作
6.5 ns最大tCDV延迟
2M×36通用I/O架构
片上2位突发计数器
MODE选线性或交错突发
高性能2-1-1-1访问率
独立ADSP与ADSC选通
BWx+BWE支持字节写
GW全字写入所有字节
异步OE控制三态输出
ZZ休眠模式进出2周期
IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

133 MHz支持高速缓存SRAM
6.5 ns降低读延迟
36位I/O适配宽数据通路
突发计数器减少地址开销
按CPU需求选择突发顺序
2-1-1-1提升持续带宽
ADSP/ADSC简化总线控制
字节写减少数据翻转
全字写入更易实现
异步OE便于共享数据总线
休眠模式降低待机电流
JTAG加速板级测试调试

应用

设计资源

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CY7C1481BV33-133BGXI

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