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CY7C1481BV33-133BGXI
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已停产
符合RoHS标准
无铅

CY7C1481BV33-133BGXI

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CY7C1481BV33-133BGXI
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数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    133 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    Standard Sync, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 系列
    Standard Sync
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

OPN
CY7C1481BV33-133BGXI
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-119
封装名 FBGA-119 (51-85181)
封装尺寸 84
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-119
封装名 FBGA-119 (51-85181)
封装尺寸 84
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
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CY7C1481BV33-133BGXI是一款72 Mbit（2M×36）同步直通式SRAM，用于高速微处理器接口。支持133 MHz工作，时钟到数据访问延迟6.5 ns，并集成2位突发计数器，实现线性或交织的2-1-1-1突发。内核电源3.135 V至3.6 V，I/O电源2.375 V至3.6 V，支持IEEE 1149.1 JTAG与ZZ睡眠模式，适用于–40°C至+85°C。

特性

  • 133 MHz同步总线操作
  • 6.5 ns最大tCDV延迟
  • 2M×36通用I/O架构
  • 片上2位突发计数器
  • MODE选线性或交错突发
  • 高性能2-1-1-1访问率
  • 独立ADSP与ADSC选通
  • BWx+BWE支持字节写
  • GW全字写入所有字节
  • 异步OE控制三态输出
  • ZZ休眠模式进出2周期
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 133 MHz支持高速缓存SRAM
  • 6.5 ns降低读延迟
  • 36位I/O适配宽数据通路
  • 突发计数器减少地址开销
  • 按CPU需求选择突发顺序
  • 2-1-1-1提升持续带宽
  • ADSP/ADSC简化总线控制
  • 字节写减少数据翻转
  • 全字写入更易实现
  • 异步OE便于共享数据总线
  • 休眠模式降低待机电流
  • JTAG加速板级测试调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区