CY7C1620KV18-333BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1620KV18-333BZXI

数据手册
封装

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CY7C1620KV18-333BZXI
CY7C1620KV18-333BZXI
数据手册
  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    DDR-II CIO
  • 片上端接
    N
  • 系列
    DDR-II CIO
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    333 MHz
推荐的
OPN
CY7C1620KV18-333BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1620KV18-333BZXI是一款144 Mbit DDR II同步流水SRAM，容量为4M × 36。支持333 MHz时钟与双倍数据率传输（666 MHz数据率），并带两字突发计数器以降低地址总线频率。内核电源1.8 V（VDD 1.7–1.9 V），I/O电源1.4 V至VDD，提供165球FBGA无铅封装，工业级-40°C至+85°C。

特性

  • 144-Mbit DDR II同步SRAM
  • 333 MHz时钟;666 MHz速率
  • 两字突发,内置1位计数
  • DOFF高:1.5周期读延迟
  • DOFF低:DDR I 1周期延迟
  • DDR输入双时钟K/K
  • 输出时钟C/C或单时钟
  • 回波时钟CQ/CQ便于采样
  • ZQ引脚可编程输出阻抗
  • RQ 175–350 Ω实现±15%
  • PLL工作120 MHz至fMAX
  • 支持JTAG IEEE 1149.1

产品优势

  • 高带宽实现快速存取
  • 较低fCLK也能高吞吐
  • 地址翻转更少,降低EMI
  • 可选读延迟便于集成
  • K/K时钟简化DDR时序
  • C/C输出时钟降低偏斜
  • CQ/CQ简化高速数据采样
  • ZQ调节提升信号完整性
  • 阻抗匹配减少反射
  • PLL改善数据对齐时序
  • JTAG加速板级测试调试
  • 深度扩展无需额外等待

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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