CY7C1663KV18-550BZXC
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1663KV18-550BZXC

数据手册
封装

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CY7C1663KV18-550BZXC
CY7C1663KV18-550BZXC
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II+
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    2.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    550 MHz
推荐的
OPN
CY7C1663KV18-550BZXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1663KV18-550BZXC是一款144-Mbit（8 M × 18）QDR II+同步流水SRAM，读写端口分离，采用四字突发架构。支持550 MHz时钟与DDR传输（1100 MHz数据率），读延迟2.5个周期。VDD为1.7–1.9 V，VDDQ为1.4 V–VDD，提供165球Pb-free FBGA封装，适用于高速网络、DSP和数据包缓冲。

特性

  • 550 MHz时钟, DDR达1100 MHz
  • 四字突发（顺序）
  • 读写数据端口独立
  • 支持并发读写事务
  • 读延迟2.5周期（DOFF=H）
  • QDR I模式，1周期延迟
  • 双输入时钟K/K用于DDR
  • 回波时钟CQ/CQ便于采集
  • QVLD有效指示提前0.5周期
  • 通过RQ可编程输出阻抗
  • 片上PLL 20 µs锁定
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 高带宽支持高速数据流
  • 降低地址总线工作频率
  • 无I/O总线翻转等待
  • 读写并行减少停顿
  • 可预测的2.5周期读出
  • 可切换1周期以降时延
  • 高速下更易完成时序收敛
  • 采集更简单、减少偏斜
  • 接收端获得清晰有效窗口
  • 改善信号完整性，减少调试
  • 上电后数据对齐更准确
  • 更快进行板级调试与测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }