CY7C2663KV18-550BZXI

数据手册

封装

数据手册

商品详情

ECC

N
密度

144 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压范围

1.7 V 至 1.9 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

Parallel
数据宽度

x 18
架构

QDR-II+
片上端接

N
系列

QDR-II+
组织(X x Y)

8Mb x 18
脉冲长度 (Words)

4
认证标准

Industrial
读取延迟(周期)

2.5
银行切换

N
频率

550 MHz

	推荐的
OPN	CY7C2663KV18-550BZXI
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-165
封装名	FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸	105
封装类型	TRAY
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	No
无卤素	No
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-165
封装名	FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸	105
封装类型	TRAY
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY7C2663KV18-550BZXI是一款144-Mbit QDR II+同步流水线SRAM，容量组织为8M × 18。采用读写独立端口与DDR接口（550 MHz时数据速率1100 MHz），支持四字突发与2.5周期读延迟。内核电源1.7 V至1.9 V，I/O电源1.4 V至VDD，集成ODT与JTAG 1149.1，封装为165球FBGA。

特性

QDR II+ SRAM，4字突发
550 MHz时钟，DDR至1100 MHz
读写数据端口相互独立
支持并发读写事务
2.5周期读延迟(DOFF=1)
1周期读延迟模式(DOFF=0)
D/BWS/K支持片上终端ODT
CQ/CQ回波时钟便于采样
QVLD指示输出数据有效
稳定时钟20 µs锁定PLL
PLL最低工作到120 MHz
VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

产品优势

4字突发降低地址频率
DDR至1100 MHz提升带宽
无需总线翻转降低延迟
同时读写提高吞吐量
2.5周期读出时序可预测
1周期读出缩短访问延迟
ODT省外部终端电阻与面积
CQ/CQ降低高速采样难度
QVLD简化数据捕获逻辑
PLL改善数据对齐稳定性
120 MHz也可用PLL更灵活
支持1.4 V/1.5 V I/O电源

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

CY7C2663KV18-550BZXI

Content could not be loaded

商品详情

特性

产品优势

应用

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区