CY7C4122KV13-106FCXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C4122KV13-106FCXC

数据手册
封装

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CY7C4122KV13-106FCXC
CY7C4122KV13-106FCXC
数据手册


商品详情

  • ECC
    Y
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.26 V 至 1.34 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-IV
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    QDR-IV
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    8
  • 银行切换
    Y
  • 频率
    1066 MHz

推荐的
OPN
CY7C4122KV13-106FCXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 600
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 600
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C4122KV13-106FCXC是一款144-Mbit QDR-IV XP SRAM（8M × 18），具备双独立双向DDR数据端口与共享DDR地址总线，可并发读写。最高1066 MHz，随机事务率达2132 MT/s。8-bank与2-word突发架构支持片上ODT和逐位去偏斜训练，并集成ECC与地址奇偶校验以降低软错误。

特性

  • 144-Mbit QDR-IV XP SRAM
  • 总RTR 2132 MT/s
  • 最高频率1066 MHz
  • 双独立双向DDR端口
  • DDR地址总线+SDR控制
  • 8 bank，每bank每周期1次
  • 所有访问两字突发
  • 片上终端ODT可编程
  • ZQ自校准输出阻抗
  • 地址/数据总线反转
  • 地址奇偶校验+PE#标志
  • 片上ECC，SER<0.01 FIT/Mb

产品优势

  • 2132 MT/s提升随机吞吐
  • 1066 MHz支持低延迟
  • 两端口并发读写
  • 共用地址总线省布线
  • 8 bank维持高交易率
  • 2字突发提升带宽
  • ODT简化信号完整性
  • ZQ校准稳定I/O裕量
  • 总线反转降噪省电
  • 奇偶标志加速定位故障
  • ECC减少软错误数据故障
  • <0.01 FIT/Mb提升可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区