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CY7S1061GE30-10BVM

我们的异步快速 SRAM 是业界最快的并行异步 SRAM 解决方案，最快访问时间为 10 ns。
数据手册
封装

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CY7S1061GE30-10BVM
CY7S1061GE30-10BVM
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商品详情

  • Density
    16 MBit
  • Peak Reflow Temp
    220 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    2.2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Pb
  • Interfaces
    Parallel
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Family
    FAST SRAM
  • Organization (X x Y)
    1M x 16
  • Qualification
    Military
  • Speed
    10 ns
受到推崇的
OPN
CY7S1061GE30-10BVM
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-VFBGA-48
封装名 BGA-48 (51-85150)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-VFBGA-48
封装名 BGA-48 (51-85150)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 SRAM 解决方案提供长期支持承诺，为我们的客户提供保证，他们将在较长时间内继续获得其产品的支持和维护。 我们的异步 SRAM 通常用作缓存和缓冲存储器应用的扩展存储器，其低功耗和高速性能使其成为国防应用的理想选择。

特性

  • 16 Mbit 密度
  • 1M 字 x 16 位组织
  • 10ns 访问速度
  • 强力贪睡™
  • 嵌入式纠错码 (ECC)
  • 用于单位错误校正
  • -55°C 至 125°C
  • 48球VFBGA

产品优势

  • 高效的异步 SRAM 解决方案
  • 技术 FIT 率低于 0.3 PPM
  • 可靠性比标准 SRAM 高 1000 倍

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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