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现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CYEL18V5122-200BKXE

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小型封装中的耐辐射、低功耗和高带宽的伪静态随机存取存储器（pSRAM）
数据手册
封装

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CYEL18V5122-200BKXE
CYEL18V5122-200BKXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 封装
    PG-BGA-24
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
CYEL18V5122200BKXEXQSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 pSRAM 是一种尖端的存储器解决方案，结合了 DRAM 和 SRAM 的优点。从内部来看，它的结构类似于 DRAM，但从外部来看，它的行为类似于 8 通道串行 SRAM。该技术采用结构紧凑、低引脚数塑料组件封装，具有高速性能和小型封装，非常适合需要高带宽且引脚有限的低地球轨道卫星应用。

特性

  • 512 Mbit 密度
  • x8 HYPERBUS™接口
  • 每通道200 MHz
  • 高达 1.6 Gbps 的数据吞吐量
  • 单片选
  • 工作温度为 -40⁰C 至 +125⁰C
  • 低低引脚数24球FBGA
  • 100Krad（硅）TID

产品优势

  • 通过 AEC-Q100 认证
  • RoHS合规
  • 单一批次日期代码 (SLDC)
  • 100% 电气测试覆盖率
  • 合格证书 (CoC)
  • 通过辐射批次验收测试 (TID)

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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