现货，推荐
符合RoHS标准

F3L200R07W2S5F_B11

650 V、200 A 三电平 IGBT 模块
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

F3L200R07W2S5F_B11
F3L200R07W2S5F_B11
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC max
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.2 V
  • VCES / VRRM
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.49 V
  • 封装
    EasyPACK™ 2B
  • 尺寸 (length)
    56.7 mm
  • 尺寸 (width)
    48 mm
  • 技术
    IGBT5 - S5, CoolSiC™ Schottky Diode
  • 特性
    Phase leg, PressFIT, SiC Schottky diode
  • 电压等级 max
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    3-level
推荐的
OPN
F3L200R07W2S5FB11BOMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 N/A
包装尺寸 15
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 -
包装尺寸 15
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 650 V、200 A 3 级 IGBT 模块采用 TRENCHSTOP ™ 5、CoolSiC ™肖特基二极管、NTC 和 PressFIT 接触技术。

特性

  • 电压能力高达 650 V
  • 低开关损耗
  • 紧凑设计
  • PressFIT 接触技术
  • 由于集成安装夹，安装牢固
  • 集成安装夹

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }