FF1000UXTR23T2M1_B5
现货，推荐
符合RoHS标准

FF1000UXTR23T2M1_B5

CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 2300 V
数据手册

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FF1000UXTR23T2M1_B5
FF1000UXTR23T2M1_B5
数据手册
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    0.95 mΩ
  • 封装
    XHP™ 2
  • 尺寸 (length)
    140 mm
  • 尺寸 (width)
    100 mm
  • 应用
    Traction, ESS, H2, Renewables
  • 特性
    .XT interconnection technology
  • 认证标准
    Traction, Industrial
  • 配置
    Half-bridge
推荐的
OPN
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-XHP2K33
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-XHP2K33
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2.3 kV，1.0 mΩ 采用半桥拓扑和健壮的 .XT 互连技术，可延长使用寿命，具有业界领先的可靠性。

特性

整合体分散 2000 A Inom 低电平感应外壳XHP™ 2 .XT互连技术 对称模块设计 最低开关和通态损耗 Tvj,op=175°C 连续 6千伏隔离电压 铜基板
文档

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