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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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FF200R12KE4P
商品详情
-
IC(nom) / IF(nom)200 A
-
最高 IC200 A
-
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)1.75 V
-
VF (Tvj=25°C typ)1.65 V
-
封装62 mm
-
尺寸 (length)106.4 mm
-
尺寸 (width)61.4 mm
-
技术IGBT4 - E4
-
特性TIM
-
最高 电压等级1200 V
-
认证标准Industrial
-
配置half-bridge
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
FF200R12KE4PHOSA1 | |
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | AG-62MMHB | |
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 8 | |
| 包装类型 | TRAY | |
| 湿度 | NA | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | Yes | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | AG-62MMHB |
| 封装名 | - |
| 包装尺寸 | 8 |
| 包装类型 | TRAY |
| 湿度 | NA |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
62 mm 1200 V、200 A 半桥 IGBT 模块，带沟道/场截止 IGBT4、优化的反偏方向和预涂热接口材料。
特性
- 工作温度高达 150 °C
- UL/CSA Certif.UL1557 E83336
- 优化开关柔软度
- 减少开关损耗
- 高电流能力
- 电气、电子设备限制中使用某些有害物质指令合规
图表
Circuit_diagram_62mm_Half_Bridge
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