在产
符合RoHS标准
无铅

FF200R12KS4P

1200 V、200 A 双IGBT模块
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF200R12KS4P
FF200R12KS4P
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC max
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3.2 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • Housing
    62 mm
  • Dimensions (width)
    61.4 mm
  • Dimensions (length)
    106.4 mm
  • Technology
    IGBT2 Fast
  • Features
    Fast short tail IGBT chip, TIM
  • Voltage Class max
    1200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Configuration
    half-bridge
受到推崇的
OPN
FF200R12KS4PHOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
包装尺寸 8
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
包装尺寸 8
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
62 毫米 1200 V、200 A 双 IGBT 模块配备快速 IGBT2 和预涂热界面材料，是您设计的正确选择。

特性

  • 高短路能力
  • 自限制短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的稳健性
  • 正温度下的 VCEsat。系数。
  • CTI > 400 的封装
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 隔离底板
  • 铜底板
  • 标准外壳

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }