FF200R12KS4P
在产
符合RoHS标准
无铅

FF200R12KS4P

1200 V、200 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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FF200R12KS4P
FF200R12KS4P
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • 最高 IC
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3.2 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 技术
    IGBT2 Fast
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    Fast short tail IGBT chip, TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF200R12KS4PHOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
62 毫米 1200 伏，200 安半桥 IGBT 模块，采用快速 IGBT2 和预涂热接口材料，是您设计的理想选择。

特性

  • 高短路能力
  • 自限制短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的加固性
  • VCEsat与负载温度。
  • 带有CTI的封装> 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 绝缘的基板
  • 铜基板
  • 标准外壳
文档

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