现货，推荐
符合RoHS标准

FF225R65T3E3

6500 V、225 A 双 IGBT 模块
数据手册

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FF225R65T3E3
FF225R65T3E3
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    225 A
  • 最高 IC
    225 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3 V
  • VCES / VRRM
    6500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    3.1 V
  • 封装
    XHP™ 3
  • 尺寸 (width)
    99.8 mm
  • 尺寸 (length)
    140 mm
  • 技术
    IGBT3 - E3
  • 特性
    10.4 kV isolation, Phase leg
  • 最高 电压等级
    6500 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
推荐的
OPN
FF225R65T3E3BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-XHP3K65
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-XHP3K65
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
XHP ™ 3 6500 V、225 A 双 IGBT 模块，带有 Trench/Fieldstopp IGBT3 和发射极控制 3 二极管。

特性

  • 高直流稳定性
  • 低 VCEsat
  • 延长存储温度
  • *低至 T(stg) = -55°C
  • 封装 CTI > 600
  • 封装绝缘 10.4 kV AC 1min
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC 基板
  • 增强的 TC 能力
  • 防火和烟雾 EN45545 R22、R23：HL3
  • 模块化概念
  • 半桥配置

产品优势

  • 标准化外壳：100x140x40 毫米
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 实现简洁的电气设计
  • 实现简洁的机械设计
  • 以更小的步骤实现可扩展性
  • 一种类型适用于各种功率级别
  • 更顺畅的供应链处理
  • 实现系统级小型化
  • 减少 EMI 问题

应用

轨交

图表

XHP3_3300
XHP3_3300
XHP3_3300 XHP3_3300 XHP3_3300
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