FF650R17IE4D_B2
现货，推荐
符合RoHS标准

FF650R17IE4D_B2

1700 V、650 A 半桥 IGBT 模块
数据手册
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FF650R17IE4D_B2
FF650R17IE4D_B2
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    650 A
  • 最高 IC
    650 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • 封装
    PrimePACK™ 2
  • 尺寸 (length)
    172 mm
  • 尺寸 (width)
    89 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    Enlarged Diode
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 质量等级
    Industrial, Traction

推荐的
OPN
FF650R17IE4DB2BOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 N/A
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 -
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
PrimePACK™ 2 1700 V、650 A 半桥 IGBT 模块专为牵引应用而开发。 包括TRENCHSTOP™ IGBT4、NTC 和快速开关芯片。 也可提供预涂导热界面材料（TIM）的版本。

特性

  • 扩展运行温度。Tvj op
  • 高直流稳定性
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • Tvj op = 150°C
  • 用于再生的大尺寸二极管。操作
  • 低电平VCEsat
  • CTI封装> 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 高乘方和热循环能力。
  • 铜基板
  • UL 认可
文档

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