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FF800R17KP4_B2

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1700 V、800 A 双 IGBT 模块
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FF800R17KP4_B2
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • 封装
    IHM
  • 尺寸 (length)
    130 mm
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 技术
    IGBT4 - P4
  • 拓扑结构
    Dual
  • 特性
    Enlarged Diode
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 质量等级
    Industrial, Traction

OPN
FF800R17KP4B2NOSA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 N/A
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
HU
晶圆产地
MY

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 -
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
MY
IHM-A 1700 V、800 A 130 毫米双 IGBT 模块，配备 IGBT4、扩大二极管和 AlSiC 底板。

特性

  • 低 VCEsat
  • 扩大的再生二极管。操作
  • 4 kV AC 1min 绝缘
  • AlSiC 底板
  • 增加。热循环能力
  • UL 认证
  • 高功率和热循环能力。
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