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符合RoHS标准

FF8MR12W1M1H_B70

CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V
数据手册
每件.
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FF8MR12W1M1H_B70
FF8MR12W1M1H_B70
每件.
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商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.1 mΩ
  • Housing
    Easy 1B
  • Dimensions (width)
    33.8 mm
  • Dimensions (length)
    62.8 mm
  • Applications
    ESS, EV Charger, Solar, UPS
  • Features
    PressFIT, AlN
  • Qualification
    Industrial
  • Configuration
    Half-bridge
受到推崇的
OPN
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EasyDUAL ™ 2B CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V，8 mΩ G1，带集成 NTC 温度传感器、PressFIT 接触技术和氮化铝陶瓷。

特性

  • 高度仅为 12.25mm，同类最佳
  • 采用前沿 WBG 材料
  • 模块杂散电感极低
  • 增强型 CoolSiC ™ MOSFET Gen 1
  • 采用增强型 1 沟槽技术
  • 扩大栅极驱动电压窗口
  • 电压窗口范围：15 至 18 V 和 0 至 -5 V
  • 扩展最大栅源电压
  • 栅源电压：+23 V 和 -10 V
  • Tvjop：过载条件高达 175°C
  • 集成 NTC 温度传感器

产品优势

  • 出色的模块效率
  • 系统成本优势
  • 系统效率提升
  • 降低冷却要求
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • DCB材料的热导率
 

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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