FF900R12IP4D
现货，推荐
符合RoHS标准

FF900R12IP4D

1200 V、900 A 半桥 IGBT 模块
数据手册
评估板

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FF900R12IP4D
FF900R12IP4D
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    900 A
  • 最高 IC
    900 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    PrimePACK™ 2
  • 尺寸 (width)
    89 mm
  • 尺寸 (length)
    172 mm
  • 技术
    IGBT4 - P4
  • 特性
    Enlarged Diode
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
推荐的
OPN
FF900R12IP4DBOSA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 N/A
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 -
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥 IGBT 模块，配有TRENCHSTOP™ IGBT4、放大发射极控制 4 二极管、NTC 和软开关芯片。

特性

  • 扩展运行温度。Tvj op
  • 高直流稳定性
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的加固性
  • VCEsat与负载温度。
  • 4 kV 交流 1 分钟绝缘
  • 具有 CTI 的封装> 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 高乘方和热循环能力。
  • 低液位热基材。 阻抗
  • UL认可
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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