FM1808B-SGTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM1808B-SGTR

数据手册
封装

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FM1808B-SGTR
FM1808B-SGTR
数据手册
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推荐的
OPN
FM1808B-SGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM1808B-SGTR是一款256 Kbit（32 K × 8）并行F-RAM，采用28引脚SOIC封装，具备100万亿次读写循环和在65°C下151年数据保持能力。工作电压4.5 V至5.5 V，访问时间70 ns，周期时间130 ns，适用于–40°C至+85°C工业温度范围。最大工作电流15 mA，CMOS待机电流50 μA，NoDelay™快速写入和SRAM/EEPROM兼容性，非常适合工业和数据记录等频繁或快速写入的非易失性存储应用。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32 K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容时序
  • 70 ns访问，130 ns周期
  • 15 mA工作电流，50 μA待机
  • 4.5 V至5.5 V电源电压
  • –40°C至+85°C工业温度
  • SRAM/EEPROM兼容引脚
  • 最大8 pF输入/输出电容
  • 单片高可靠性，无需电池
  • 抗负电压下冲

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 无需电池备份维护
  • 65°C下151年数据安全
  • 可直接替换SRAM/EEPROM
  • 快速写入降低系统延迟
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 工业环境下高可靠性
  • 标准引脚便于集成
  • 抗冲击、振动、湿气
  • 断电不丢失数据
  • 写入无磨损忧虑
  • 电压波动下稳定运行

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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