现货，推荐
符合RoHS标准

FM22L16-55-TG

工业级 4096kBit 并行 FRAM，速度为 55ns，确保在 -40°C 至 85°C 的宽温度范围内实现可靠的性能。
数据手册
封装
每件.
有存货

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FM22L16-55-TG
FM22L16-55-TG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
FM22L16-55-TG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM22L16-55-TG是一款4 Mbit（256K × 16）并行F-RAM，55 ns访问时间，工作电压2.7 V至3.6 V，44引脚TSOP II封装。支持100万亿次读写循环，65°C下数据保存151年，NoDelay™即时写入和SRAM兼容时序。具备页模式、软件块写保护、低工作电流、最大5 μA休眠电流，工业级温度范围-40°C至+85°C。适用于频繁或快速非易失性存储写入及SRAM直接替换。

特性

  • 4-Mbit F-RAM，256K x 16结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容时序
  • 55 ns访问，110 ns周期
  • 页模式，25 ns页访问
  • 软件可编程块写保护
  • 低功耗：8 mA工作，90 μA待机
  • 睡眠模式电流5 μA
  • 低电压：2.7 V至3.6 V
  • 输入/输出漏电流±1 μA
  • 工业温度：–40°C至+85°C

产品优势

  • 实现即时可靠数据存储
  • 免除电池备份维护
  • 151年数据保持确保长期安全
  • 高频写入应用无忧
  • 可直接替换标准SRAM
  • 快速访问提升系统性能
  • 页模式提升数据吞吐量
  • 灵活软件保护数据安全
  • 有效降低系统功耗
  • 睡眠模式延长电池寿命
  • 适用于低电压系统
  • 工业环境下可靠运行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }