现货，推荐
符合RoHS标准

FM22L16-55-TG

工业级 4096kBit 并行 FRAM，速度为 55ns，确保在 -40°C 至 85°C 的宽温度范围内实现可靠的性能。
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM22L16-55-TG
FM22L16-55-TG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • 工作电压
    2.7 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
FM22L16-55-TG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
使用 FM22L16 256K × 16 非易失性存储器可保存超过 151 年的数据。其快速的写入时间、高耐用性和非易失性消除了可靠性问题，使其成为标准 SRAM 的理想替代品，确保在需要频繁或快速写入的应用中获得卓越的性能。

特性

  • 可使用 UB 和 LB 配置为 512K × 8
  • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写
  • 数据保留 151 年
  • NoDelay ™写入
  • 页面模式操作周期为 25 ns
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 兼容 SRAM
  • 44 引脚薄型小外形封装 (TSOP) II 型
  • 符合有害物质限制指令 (RoHS)

产品优势

  • 标准 SRAM 的直接替代品
  • 触发读/写周期的灵活性
  • 由于铁电工艺而具有的非挥发性
  • 适合频繁或快速写入
  • 低压监控器用于数据保护
  • 软件控制的写保护
  • 内存阵列分为单独的写保护块

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }