FM24C16B-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24C16B-GTR

数据手册
封装

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FM24C16B-GTR
FM24C16B-GTR
数据手册
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24C16B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24C16B-GTR是一款16-Kbit串行铁电随机存储器（F-RAM），采用标准I2C接口，适用于频繁的非易失性数据写入。具备NoDelay™写入性能，支持100万亿（1014）次读写循环，65°C下数据保持151年。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至+85°C，100 μA（100 kHz）工作电流，4 μA待机电流。8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，是可靠的串行EEPROM替代方案。

特性

  • 16-Kbit F-RAM，2K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即存
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 μA有源电流（100 kHz）
  • 典型待机电流4 μA
  • VDD范围4.5 V至5.5 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 写保护引脚全区保护
  • ESD防护2 kV（HBM），500 V（CDM）
  • 闩锁电流>140 mA

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 实时应用无写入延迟
  • 超百年可靠存储
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 降低运行功耗
  • 待机能耗极低
  • 适用严苛工业环境
  • 防止误写保护数据
  • 抵抗高ESD/闩锁冲击
  • 兼容100/400 kHz I2C
  • 写入后无需轮询
  • 适合长寿命应用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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