FM24W256-G
现货，推荐
符合RoHS标准

FM24W256-G

数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24W256-G
FM24W256-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24W256-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24W256-G是一款256 Kbit（32K × 8）串行F-RAM，采用I2C接口，适用于频繁数据记录和工业控制等高耐久非易失存储。支持100万亿次读写、65°C下151年数据保持，工作电压2.7 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C。最高1 MHz I2C速度、NoDelay™写入和低功耗，使其成为严苛应用中串行EEPROM的可靠替代。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™即时写入
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 kHz时工作电流100 μA
  • 典型待机电流15 μA
  • VDD范围2.7 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 支持100k/400k/1 MHz I2C
  • 先进高可靠铁电工艺

产品优势

  • 实现频繁快速数据记录
  • 消除实时系统写入延迟
  • 百年以上可靠数据存储
  • 降低系统功耗
  • 宽电压简化设计
  • 适用恶劣工业环境
  • 可直接替换EEPROM
  • 兼容多速率I2C
  • 写密集应用无磨损忧虑
  • 待机低电流延长电池寿命
  • 写入后无需数据轮询
  • 关键数据高可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }