FM25L04B-DGTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25L04B-DGTR

数据手册
封装

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FM25L04B-DGTR
FM25L04B-DGTR
数据手册


商品详情

  • Frequency
    20 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM25L04B-DGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25L04B-DGTR是一款4-Kbit（512 × 8）串行铁电RAM（F-RAM），支持100万亿（1014）次读写循环，65°C下数据保持151年。工作电压2.7 V至3.6 V，工业温度范围–40°C至+85°C，1 MHz时200 μA，待机3 μA。具备最高20 MHz高速SPI接口、硬件和软件写保护，可直接替换串行闪存和EEPROM，适用于工业等频繁写入应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线级写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 3 μA典型待机电流
  • VDD范围2.7 V至3.6 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 直接替换EEPROM/闪存
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 实现可靠非易失存储
  • 支持高频数据记录
  • 断电多年数据不丢失
  • 无写入延迟提升速度
  • 易与SPI主控集成
  • 防止误写保护数据
  • 有效降低工作功耗
  • 待机延长电池寿命
  • 适用于3 V系统
  • 工业环境下稳定运行
  • 便捷升级旧设计
  • 适配多种SPI配置

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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