现货，推荐
符合RoHS标准

FM25V10-DGTR

数据手册
封装

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FM25V10-DGTR
FM25V10-DGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V10-DGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V10-DGTR是一款1-Mbit（128K × 8）串行F-RAM存储器，采用SPI接口，支持100万亿次（10¹⁴）读写耐久性和65°C下151年数据保持。工作电压2.0 V至3.6 V，最高40 MHz，低工作电流（1 MHz时300 μA）、待机电流（典型90 μA）、休眠电流（5 μA）。8引脚DFN封装，支持–40°C至+85°C，具备高级写保护，适用于工业频繁非易失性写入。

特性

  • 1-Mbit非易失性F-RAM，128K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™总线级即时写入
  • SPI接口最高40 MHz
  • 低功耗：1 MHz时0.3 mA，休眠5 μA
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 硬件/软件写保护
  • 设备及唯一序列号选项
  • 可直接替代串行闪存/EEPROM
  • 先进高可靠铁电工艺

产品优势

  • 可靠存储频繁快速写入数据
  • 消除写入延迟提升系统速度
  • 超越闪存/EEPROM耐久性
  • 151年数据保存保障安全
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • SPI 40 MHz实现高速传输
  • 易与标准SPI控制器集成
  • 写保护防止误操作丢失
  • 唯一ID支持安全认证
  • 轻松升级简化设计迁移
  • 适应严苛工业环境
  • 高可靠性降低维护成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }