FM25V20A-DGQ
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25V20A-DGQ

数据手册
封装

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FM25V20A-DGQ
FM25V20A-DGQ
数据手册


商品详情

  • Frequency
    33 MHz
  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM25V20A-DGQ
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
封装尺寸 370
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
封装尺寸 370
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V20A-DGQ是一款2-Mbit（256 K x 8）串行F-RAM存储器，具备扩展温度能力，支持10万亿次读写循环和121年数据保持（85°C）。工作电压为2.0 V至3.6 V，NoDelay™高速写入，SPI速率最高33 MHz（模式0/3）。低功耗（3.0 mA工作，400 µA待机，12 µA睡眠）及硬件/软件写保护，适用于工业和医疗等频繁、快速非易失性存储应用。8脚DFN封装，符合RoHS标准，工作温度-40°C至+105°C。

特性

  • 2-Mbit F-RAM，256 K x 8结构
  • 10^14次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™实时写入
  • SPI接口最高33 MHz
  • 低功耗：3.0 mA工作，12 µA休眠
  • VDD工作电压2.0–3.6 V
  • 扩展温度：–40°C至+105°C
  • 多级硬件/软件写保护
  • 总线速率顺序读写
  • 兼容串行闪存/EEPROM
  • 设备ID含厂商和产品信息

产品优势

  • 频繁快速数据记录更可靠
  • 实时存储无写入延迟
  • 高写入应用无磨损问题
  • 高温下数据数十年安全
  • SPI高速提升系统效率
  • 有效降低工作/休眠能耗
  • 适应2.0–3.6 V系统设计
  • 工业环境下稳定运行
  • 防止误操作导致数据丢失
  • 简化闪存/EEPROM替换
  • 支持设备身份验证
  • 实现长寿命免维护系统
文档

设计资源

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