现货，推荐
符合RoHS标准

FZ1200R33HE4D_B9

3300 V、1200 A 单开关 IGBT 模块
数据手册
每件.
有存货

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FZ1200R33HE4D_B9
FZ1200R33HE4D_B9
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.4 V
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.6 V
  • 封装
    IHV B
  • 尺寸 (length)
    190 mm
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 技术
    IGBT4 – E4
  • 特性
    Optimized IGBT Diode Ratio
  • 电压等级 max
    3300 V
  • 认证标准
    Industrial, Traction
  • 配置
    Single switch
推荐的
OPN
FZ1200R33HE4DB9BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • 高直流稳定性
  • 高短路能力
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • 矩形非截断 (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • 采用 AlN 衬底的 AlSiC 基板
  • 用于增强热循环
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • CTI > 600 的封装
  • 与最先进技术相比，功率循环能力提升 2 倍
  • 加大二极管用于再生

产品优势

  • 标准化外壳：190x140x38 毫米
  • 无与伦比的动态稳健性
  • 超长使用寿命
  • 2xPC = 相同使用寿命下 110% 的功率
  • 或 200% 的使用寿命
  • 或多 8K 的安全缓冲器
  • 故障电流 RBSOA 高达 3000 A
  • 性能与任何 1500 A 3.3 kV 相媲美
  • 1:1 机械兼容：
  • 与前三代产品兼容
  • 低 FIT 率
  • UL 认证

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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