FZ1200R45HL3_S7
不建议用于新设计
符合RoHS标准

FZ1200R45HL3_S7

4500 V、1200 A 单开关 IGBT 模块
数据手册

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FZ1200R45HL3_S7
FZ1200R45HL3_S7
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • 最高 IC
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.15 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • 封装
    IHV B
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 尺寸 (length)
    190 mm
  • 技术
    IGBT3 - L3
  • 拓扑结构
    Single switch
  • 特性
    VGE = 25 V
  • 最高 电压等级
    4500 V
  • 质量等级
    Industrial, Traction

OPN
FZ1200R45HL3S7BPSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHV-B 4500 V、1200 A 190 毫米单开关 IGBT 模块，带有沟槽/场终止 IGBT3、发射极控制 3 二极管和隔离 AlSiC 底板 - 适合您的 HVDC 应用的最佳解决方案。与标准类型相比，_S7 类型可以用 VGE=25 V 驱动，而不是通常的 15 V

特性

  • 高直流稳定性
  • 高短路能力
  • 最低传导损耗
  • 低 VCEsat
  • 矩形非截断 (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • 采用 AlN 衬底的 AlSiC 基板
  • 可提高热循环性能
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • CTI > 600 的封装
  • 栅极发射极电压为 25 V

产品优势

  • 标准化外壳：190x140x38 mm
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 无与伦比的动态鲁棒性
  • 低FIT率
  • UL认证
  • 备注：
  • 自2023年起停产
  • 更换类型为FZ1200R45HL4_S7
文档

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