不建议用于新设计
符合RoHS标准

FZ1200R45HL3_S7

4500 V、1200 A 单开关 IGBT 模块
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FZ1200R45HL3_S7
FZ1200R45HL3_S7
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.15 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • Housing
    IHV B
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Dimensions (length)
    190 mm
  • Technology
    IGBT3 - L3
  • Features
    VGE = 25 V
  • Voltage Class max
    4500 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Single switch
OPN
FZ1200R45HL3S7BPSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHV-B 4500 V、1200 A 190 毫米单开关 IGBT 模块，带有沟槽/场终止 IGBT3、发射极控制 3 二极管和隔离 AlSiC 底板 - 适合您的 HVDC 应用的最佳解决方案。与标准类型相比，_S7 类型可以用 VGE=25 V 驱动，而不是通常的 15 V

特性

  • 高直流稳定性
  • 高短路能力
  • 最低传导损耗
  • 低 VCEsat
  • 矩形非截断 (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • 采用 AlN 衬底的 AlSiC 基板
  • 可提高热循环性能
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • CTI > 600 的封装
  • 栅极发射极电压为 25 V

产品优势

  • 标准化外壳：190x140x38 mm
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 无与伦比的动态鲁棒性
  • 低FIT率
  • UL认证
  • 备注：
  • 自2023年起停产
  • 更换类型为FZ1200R45HL4_S7

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }