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GS66502B-MR
商品详情
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ID (@25°C) max7.5 A
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IDpuls (@25°C) max15 A
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QG1.6 nC
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RDS (on) (typ)200 mΩ
-
RDS (on) max260 mΩ
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VDS max650 V
-
MountingSMT
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Generation≤ G3
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OPN
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|---|
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GS66502B-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS66502B-MR 是采用 GaNPX ®封装的底部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 ACDC 和 DCDC 转换器、电机驱动器和工业电源等大功率应用。
特性
- E 模式 HEMT – 常关
- 超快开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向传导
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）
- 底部冷却
- 零反向恢复损耗
- 快速、可控的下降和上升时间
- 符合 RoHS 3(6+4) 要求
产品优势
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 减轻系统重量
- 实现更高的工作频率
- 降低系统成本