IAUTN15S6N038
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN15S6N038

150V、N 沟道、最大 3.8 mΩ、汽车 MOSFET、TOLL (10x12)、 OptiMOS™ 6
数据手册
封装

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IAUTN15S6N038
IAUTN15S6N038
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    170 A
  • 最高 IDpuls
    601 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    88 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.57 K/W
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 封装
    TOLL (PG-HSOF-8-1)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™6
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUTN15S6N038ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUTN15S6N038 采用英飞凌先进的功率半导体技术OptiMOS™ 6 150V 技术。它采用英飞凌多功能、高可靠、高电流 TOLT 10x15 mm² SMD 封装，专为满足严苛的汽车应用所需的高性能、高质量和可靠性而设计。主要特征包括RoHS合规性、MSL1 等级、超越 AEC-Q101 的汽车质量、PPAP 能力以及以卷带包装格式交付。

特性

  • 击穿电压 150V
  • 低电平 RDS(on) → 最低通态损耗
  • N-ch.-增强 模式-正常水平
  • VGS(th)
  • 的紧密分布
  • 工作温度为 175°C
  • 高雪崩能力

产品优势

  • 高功率密度
  • 迄今为止业界最低的 RDS(on)
  • 高 ID 适用于高功率应用
  • 高开关性能
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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