IAUZ40N06S5N105
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZ40N06S5N105

60 V、N 沟道、最大 10.5 mΩ、汽车级 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装

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IAUZ40N06S5N105
IAUZ40N06S5N105
数据手册


商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • QG (typ @10V)
    12.6 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    16.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    10.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.6 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.4 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PG-TSDSON-9
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2021
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
IAUZ40N06S5N105ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
适用于 60V MOSFET 的全新 OptiMOS ™ 5 技术采用行业标准 S3O8（3x3 mm²）小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDSon、QG 和栅极电容，并最大限度地减少传导和开关损耗。

特性

  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 出色的热性能
  • 低栅极电荷和 Qrr
  • 电流容量提高 20%
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区