现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZN04S7N020

40 V、N 通道、2 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IAUZN04S7N020
IAUZN04S7N020
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    38 nC
  • QG (typ @10V)
    29 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2024
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUZN04S7N020ATMA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高电流、低 RDS(on) 功率 MOSFET，采用 3x3mm² 先进无引线封装，并配有 Cu-Clip，可实现低封装 Ron 和最小杂散电感，具有高功率密度、低传导损耗和优化的开关行为，与传统引线封装相比，其尺寸更小，非常适合汽车应用，例如配电、车身控制模块和电动机。

特性

  • 3x3 mm² 小尺寸
  • 60 A 高电流能力
  • 采用尖端 OptiMOS ™ 7 40V
  • RDS(on) 范围 1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • 先进的无引线封装
  • 高雪崩能力
  • SOA 坚固性
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高功率和电流密度
  • 高热容量引线框架封装
  • 降低传导损耗
  • 优化切换行为
  • 与传统封装相比，外形尺寸更小
  • JEDEC 行业标准包

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }