ICE5BR3995BZ
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ICE5BR3995BZ

65 kHz 离线反激式和降压稳压器，集成 950 V CooMOS ™超结 MOSFET
数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ICE5BR3995BZ
ICE5BR3995BZ
数据手册
  • 最高 ESD保护
    2 kV
  • ICC
    0.9 mA
  • 最高 Pout
    16.5 W
  • 最高 RDS (on)
    4.05 Ω
  • VCC 范围
    10.5 V 至 24 V
  • 最高 VDS
    950 V
  • 子应用程序
    Offline SMPS
  • 安装
    THD
  • 封装
    PG-DIP-7
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 129 °C
  • 开关频率
    65 kHz
  • 技术
    Gen5
  • 拓扑结构
    Buck, Non-isolated flyback, Flyback
  • 目标应用程序
    Power Supplies, Metering, SMPS, Home appliances, Consumer, Industrial
  • 类型
    PWM controller with integrated MOSFET
  • 绿色产品
    Yes
推荐的
OPN
ICE5BR3995BZXKLA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 N/A
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 -
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
ICE5BR3995BZ 是英飞凌第五代 CoolSET ™控制器，配备 950V CoolMOS ™ MOSFET。它支持隔离/非隔离拓扑，如反激式/降压电源。集成误差放大器简化了调节并减少了 BOM。它可以处理宽输入电压范围并优化缓冲电路。ICE5BR3995BZ 采用 DIP-7 封装，具有保护功能、EMI 降低、频率降低和改进的轻载性能。

特性

  • 集成 950 V 超结 MOSFET，最大开关频率为 65 kHz
  • 集成误差放大器，支持非隔离拓扑的典型直接反馈
  • 支持隔离和非隔离反激拓扑，输出功率高达 16 W
  • 支持非隔离降压拓扑，输出电流高达 550 mA
  • 所有保护功能均自动重启

产品优势

  • 通过数字降频提高中载和轻载效率
  • 集成误差放大器简化设计并减少 BOM 数量
  • 经济高效的降压拓扑可替代非隔离反激式拓扑
  • 通过单个器件同时支持反激式和降压拓扑，简化了供应链
  • 同一系列中的引脚排列和开关频率相似，可调整集成 MOSFET 的功率和击穿电压。另请参阅 ICE5BR2280BZ 和 ICE5BR4780BZ。
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }