现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDL12G65C5

采用 real2pin 封装的 600 V 碳化硅肖特基二极管
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封装
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每件.
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IDL12G65C5
IDL12G65C5
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商品详情

  • I(FSM) max
    57 A
  • IF max
    12 A
  • IR
    0.65 µA
  • Ptot max
    138 W
  • QC
    18 nC
  • RthJC
    0.7 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    Thin-PAK 8x8
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IDL12G65C5XUMA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 DPAK real2pin 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管第 5 代 650 V、2 A 代表了我们在 SiC 肖特基势垒二极管方面的领先技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺已在 G3 中推出，现与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是，新系列产品在所有负载条件下都表现出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Q c x V f)。

特性

  • 提高品质因数 (Q c x V f)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度 (T j 最高 175°C)
  • 提高浪涌能力
  • 无铅镀铅

产品优势

  • 更高的过压安全裕度，补充 CoolMOS ™功能
  • 在所有负载条件下提高效率
  • 与硅二极管替代品相比，效率更高
  • 与更快的硅二极管反向恢复波形相比，EMI 更低
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控风险
  • 符合 RoHS 标准
  • 非常高质量且具有大批量生产能力

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }