现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDW20G65C5

采用 real2pin 封装的 650 V 碳化硅肖特基二极管
数据手册
封装
评估板

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IDW20G65C5
IDW20G65C5
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    103 A
  • IF max
    20 A
  • IR
    1.1 µA
  • Ptot max
    112 W
  • QC
    29 nC
  • RthJC
    1 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    TO247
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IDW20G65C5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™第五代代表了英飞凌在 SiC 肖特基势垒二极管领域的领先技术。得益于更紧凑的设计和薄晶圆技术，该系列产品在所有负载条件下均表现出更高的效率，这是由于热特性得到改善且品质因数 (Q c x V f) 更低。

CoolSiC ™第 5 代旨在补充我们的 650V CoolMOS ™系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

特性

  • 650V 时的 V br
  • 更高的品质因数 (Q c x V f)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度 (T j 最高 175°C)
  • 更高的浪涌能力
  • 无铅镀铅

产品优势

  • 更高的过压安全裕度，补充 CoolMOS ™功能
  • 在所有负载条件下提高效率
  • 与硅二极管替代品相比，效率更高
  • 与更快的硅二极管反向恢复波形相比，EMI 更低
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控风险
  • 符合 RoHS 标准
  • 非常高质量且具有大批量生产能力

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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