在产
符合RoHS标准
无铅

IDW80C65D2

采用 TO-247 封装的 650 V IGBT 硅功率二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

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IDW80C65D2
IDW80C65D2
每件.
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    250 A
  • IF
    40 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    3.6 A
  • Ptot max
    180 W
  • Qrr
    0.18 µC
  • RthJC max
    0.84 K/W
  • trr
    68 ns
  • VF
    1.6 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-247
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Voltage Class max
    650 V
  • Configuration
    Common Cathode
受到推崇的
OPN
IDW80C65D2XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
快速 2 开关 650 V、80 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-247 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高软度因子：
  • 最高软度因子：
  • 低 EMI 滤波
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关损耗最低
  • 低热阻

文档

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