现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDWD80G200C5

CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V，采用 TO-247-2 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IDWD80G200C5
IDWD80G200C5
每件.
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    463 A
  • IF max
    80 A
  • IR
    40 µA
  • Ptot max
    656 W
  • QC
    716 nC
  • RthJC
    0.1 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    PG-TO247-2
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IDWD80G200C5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-2
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-2
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247-2 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V、80 A 第五代可在高达 1500 VDC 的高直流链路系统中实现更高的效率并简化设计。该二极管采用 .XT 互连技术，具有一流的热性能，并且在 HV-H3TRB 可靠性测试中表现出极强的抗湿气能力。该二极管既没有反向恢复电流，也没有正向恢复电流，且具有较低的正向电压，从而确保增强的系统性能。 该二极管非常适合匹配的 CoolSiC ™ MOSFET 2000 V 产品组合。

特性

  • VRRM = 2000 V
  • 电流F = 80A
  • VF = 1.5V
  • 无反向恢复电流
  • 无前向恢复
  • 高浪涌电流承受能力
  • 低正向电压
  • 紧密的正向电压分布
  • 指定的 dv/dt 耐用性
  • .XT互连技术

产品优势

  • 高功率密度
  • 提供匹配的 MOSFET
  • 拓扑简化

文档

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设计资源

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开发者社区

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