IGB50N65S5
现货，推荐
符合RoHS标准

IGB50N65S5

650 V、50 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装

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IGB50N65S5
IGB50N65S5
数据手册
  • Eoff (Hard Switching)
    0.23 mJ
  • Eon
    1.23 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    63 A
  • 最高 ICpuls
    200 A
  • 最高 Ptot
    270 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8.2 Ω
  • td(off)
    139 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    60 ns
  • tr
    30 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    PG-TO263-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IGB50N65S5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 D2Pak (TO263) 封装 IGBT 的高速 650 V、50 A 软开关 TRENCHSTOP ™ 5，适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，以实现高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性

  • 25°C 时 VCE(sat) 极低，仅为 1.35 V
  • IC(n)= 4x 标称电流。@100°C Tc
  • 无尾电流
  • 对称、低电压过冲
  • 最高结温。Tvj=175°C
  • 合格。雅高符合 JEDEC 标准
  • 无意外开启/关闭的风险
  • 无需栅极钳位
  • 无需栅极钳位
文档

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