IGC100T65T8RM
在产
符合RoHS标准
无铅

IGC100T65T8RM

数据手册
多个 OPN 可用

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IGC100T65T8RM
IGC100T65T8RM
数据手册


商品详情

  • 最高 IC
    200 A
  • 最高 VCE(sat)
    1.23 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGE(th) 范围
    5.1 V 至 6.4 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 技术
    IGBT3 Medium Power

推荐的
OPN
IGC100T65T8RMX1SA1 IGC100T65T8RMX7SA2
产品状态 active active
英飞凌封装名称 N/A N/A
封装名 N/A N/A
封装尺寸 1 1
封装类型 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 N/A N/A
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
晶圆产地 -
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地 -

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
MY
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆

特性

  • 正温度系数
  • 轻松并联
  • 符合 JEDEC 标准
文档

设计资源

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