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符合RoHS标准
无铅

IGC100T75H12RYA

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释放英飞凌尖端Si IGBT技术的功率
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IGC100T75H12RYA
IGC100T75H12RYA
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商品详情

  • ICn
    320 A
  • Tvj [°C]
    -40 to 185
  • VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/200A)
    1.15 V
  • VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/320A)
    1.29 V
  • VCE(sat) (Tvj=185°C @15V/200A)
    1.2 V
  • VCE
    750 V
推荐的
OPN
IGC100T75H12RYAX7SA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们最新的 EDT3 器件提供 750 V 和 1200 V 的电压等级，为中-高端性能车辆中的主逆变器应用提供前所未有的输出电流。我们的 Si IGBT 和二极管解决方案能够根据特定应用要求设计和定制功率模块，从而改变汽车格局，将性能、效率和可靠性提升到新的高度。

特性

  • 一流的电流密度
  • 适用于 470 V VDC 系统
  • 最大结温185°C
  • 高开关速度
  • VCEsat 电平非常低
  • 开关损耗非常低
  • 短拖尾电流
  • 参数分布非常紧密
  • 短路鲁棒性 tsc = 3 µs
  • 产品验证符合 AEC-Q101质量标准

产品优势

  • 非常适合汽车需求
  • 提供 750 V 和 1200 V 等级
  • 定制开发（按需）
  • 输出电流密度提高高达 25%
  • 减少损耗并增加最大值。TVJ
  • 模块缩小带来的成本收益
  • 系统级每安培成本低
  • 减少并联工作量和成本
  • 高可靠性和高质量
  • 直接替换
  • 简单的栅极驱动设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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