IGC142T120T8RM
在产
符合RoHS标准
无铅

IGC142T120T8RM

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IGC142T120T8RM
IGC142T120T8RM
  • 最高 IC
    150 A
  • 最高 VCE(sat)
    1.74 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VGE(th) 范围
    5.3 V 至 6.3 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 技术
    IGBT4 Medium Power
OPN
IGC142T120T8RMX1SA2
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 1200 V TRENCHSTOP ™技术
  • 1200 V fieldstop 技术
  • 低开关损耗
  • 软关断
  • 正温度系数
  • 易于并联
文档

设计资源

开发者社区

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