在产
符合RoHS标准
无铅

IGC54T65T8RM

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IGC54T65T8RM
IGC54T65T8RM

商品详情

  • IC max
    100 A
  • VCE(sat) max
    1.82 V
  • VCE max
    650 V
  • VDS max
    650 V
  • VGE(th)
    5.1 V to 6.4 V
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Technology
    IGBT3 Medium Power
OPN
IGC54T65T8RMX1SA2
产品状态 active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 正温度系数
  • 轻松并联
  • 符合 JEDEC 标准

应用

文档

设计资源

开发者社区

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