现货，推荐
符合RoHS标准

IGD06N60T

600 V、6 A IGBT 分立器件，采用 TO252 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGD06N60T
IGD06N60T
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.11 mJ
  • Eon
    0.09 mJ
  • IC (@ 100°) max
    6 A
  • IC (@ 25°) max
    12 A
  • ICpuls max
    18 A
  • Ptot max
    88 W
  • QGate
    42 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    130 ns
  • td(on)
    9 ns
  • tf
    6 ns
  • tr
    6 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • 封装
    DPAK (TO-252-3)
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
  • 软切换
    No
推荐的
OPN
IGD06N60TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
硬开关 600 V、6 个采用 TO252 封装的单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数在 VCEsat
  • 轻松并联开关能力
  • 非常软的反并联二极管
  • 低栅极电阻选择。可能
  • 出色的开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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