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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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IGD08N120S7
商品详情
-
Eoff0.67 mJ
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Eon0.73 mJ
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最高 IC (@ 25°)9 A
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最高 IC (@ 100°)5 A
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最高 ICpuls24 A
-
QGate55 nC
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tr18 ns
-
tSC8 µs
-
VCE(sat)2 V
-
最高 VCE1200 V
-
封装PG-TO252-3
-
开关频率 范围2 kHz 至 20 kHz
-
技术TRENCHSTOP™ IGBT7
| 推荐的 | |
|
OPN
|
IGD08N120S7ATMA1 |
| 产品状态 | active and preferred |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | DPAK |
| 封装尺寸 | 2500 |
| 封装类型 | TAPE & REEL |
| 湿度 | 1 |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | No |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
|
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | DPAK |
| 封装尺寸 | 2500 |
| 封装类型 | TAPE & REEL |
| 湿度 | 1 |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
硬开关 1200 V、8 A 单个TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7分立器件，采用 TO-252 封装，提供低 VCEsat，可在目标应用中实现非常低的传导损耗。
特性
- VCE = 1200 V
- 我C = 8A
- Tvj = 150°C 时低 VCEsat = 2 V
- 短路耐用性 8 µs
- 广泛的 dv/dt 可控性
产品优势
- 高压紧凑设计。辅助电源
- 降低 EMI 电磁干扰
应用
文档