IGE033S08S1
新品
即将推出
符合RoHS标准

IGE033S08S1

新品
CoolGaN™ 晶体管 80 V G3，3.3x3.3 mm RQFN 封装，2.6 mΩ
封装

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IGE033S08S1
IGE033S08S1
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    470 A
  • QG
    9 nC
  • RDS (on) (typ)
    2.6 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • 封装
    RQFN 3.3x3.3
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    CoolGaN™ Transistor 80 V G3
  • 认证标准
    Industrial
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IGE033S08S1 是一款 80 V 常关型电子模式功率晶体管，采用兼容 Si 基底面的 RQFN 5x6 封装，可实现高功率密度设计。由于其极低的导通电阻，是要求苛刻的高电压和大电流应用中实现可靠性能的理想选择。

特性

  • 80 V 电子模式功率晶体管
  • 双面散热封装
  • 超快开关频率
  • 无反向恢复电荷
  • 反向传导能力
  • 超低栅极和输出电荷
  • 符合 JEDEC 标准
  • 湿敏等级 MSL1

产品优势

  • 一流的功率密度
  • 高效率
  • 优化的热管理
  • 实现更小、更轻的设计
  • 卓越的可靠性
  • 降低 BOM 成本

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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