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IGLD60R190D1

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氮化镓 CoolGaN ™ 600V e-mode 功率晶体管 IGLD60R190D1，实现极致效率和可靠性
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IGLD60R190D1
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商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A
  • IDpuls (@25°C) max
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VBRDSS max
    600 V
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    1.2 V
  • Product Name
    IGLD60R190D1
  • Package
    LSON-8-1
  • Green
    RoHS compliant, Halogen free
  • Qualification
    Industrial
  • Language
    SPICE
OPN
IGLD60R190D1AUMA3
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LSON-8
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGLD60R190D1 具有快速的开启和关闭速度、最小的开关损耗，并能够实现具有最高效率的简单半桥拓扑。 它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。 它采用底部冷却的 LSON-8（DFN 8x8）封装，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或服务器和数据中心应用所需的理想功率耗散。

特性

  • E 模式 HEMT – 常闭开关
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向耐用性
  • 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）
  • 底部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }